SiC модули с использованием карбида кремния Semikron

Модули SiC Semikron с использованием карбида кремния характеризуются высокой частотой коммутации при незначительной потери мощности.

При производстве гибридных силовых модулей внедрена инновационная технология IGBT в сочетании с диодами Шоттки. Устройства SiC Semikron востребованы для солнечных инвертеров, высокочастотных источников питания.

Эксплуатационные показатели силовых модулей

Гибридные силовые модули рассчитаны на нагрузку 50…600 А при выходном напряжении 1200 В. Микропроцессорные устройства SiC SEMIKRON поставляются в 6 исполнениях: MiniSKiiP, SEMITOP, SEMITRANS, SEMiX 3 Press-Fit и SKiM63 /93. 

Гибридный силовой модуль SKiiP25AC12F4V19 SiC Semikron

Эксплуатационные параметры:

• максимальное напряжение на выходе 1200 В;
• максимальная нагрузка по току 50 А;
• 4 коммутируемых контактов;
• быстродействие 8,3 мс;
• оптимальная рабочая температура -40…+125 °C;
•  допустимая влажность 5…85%;
• размеры 59х52х16 мм.

Гибридный силовой модуль SKM200GB12F4SiC3 SiC Semikron

Эксплуатационные параметры:

• максимальное напряжение на выходе 1200 В;
• максимальная нагрузка по току 200 А;
• 4 коммутируемых контактов;
• быстродействие 8,3 мс;
• оптимальная рабочая температура -40…+175 °C;
•  допустимая влажность 5…85%;
• размеры 106х62х31 мм.

Использование гибридных силовых модулей Semikron с кремниевыми диодами Шоттки исключает необходимость в дополнительных фильтрах на стороне выхода.